강화된 확산 프로세스를 사용한 막 증착
본 명세서에서 설명되는 실시예들은 초-대기압(예컨대, 대기압보다 높은 압력)을 유지하도록 작동 가능한 챔버를 사용하여 실행될 수 있는 심 없는 갭 충전 및 심 메움 방법들에 관한 것이다. 일 실시예는 기판을 프로세스 챔버에 포지셔닝하는 단계 - 기판은 기판의 표면에 형성된 하나 이상의 피처들을 가짐 -, 및 기판의 하나 이상의 피처들을 약 1bar 이상의 압력에서 적어도 하나의 전구체에 노출시키는 단계를 포함한다. 다른 실시예는 기판을 프로세스 챔버에 포지셔닝하는 단계를 포함하며, 기판은 기판의 표면에 형성된 하나 이상의 피처들을...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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25.06.2021
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Summary: | 본 명세서에서 설명되는 실시예들은 초-대기압(예컨대, 대기압보다 높은 압력)을 유지하도록 작동 가능한 챔버를 사용하여 실행될 수 있는 심 없는 갭 충전 및 심 메움 방법들에 관한 것이다. 일 실시예는 기판을 프로세스 챔버에 포지셔닝하는 단계 - 기판은 기판의 표면에 형성된 하나 이상의 피처들을 가짐 -, 및 기판의 하나 이상의 피처들을 약 1bar 이상의 압력에서 적어도 하나의 전구체에 노출시키는 단계를 포함한다. 다른 실시예는 기판을 프로세스 챔버에 포지셔닝하는 단계를 포함하며, 기판은 기판의 표면에 형성된 하나 이상의 피처들을 갖는다. 하나 이상의 피처들 각각은 재료의 심들을 갖는다. 재료의 심들은 약 1bar 이상의 압력에서 적어도 하나의 전구체에 노출된다.
Embodiments described herein relate to methods of seam-free gapfilling and seam healing that can be carried out using a chamber operable to maintain a supra-atmospheric pressure (e.g., a pressure greater than atmospheric pressure). One embodiment includes positioning a substrate having one or more features formed in a surface of the substrate in a process chamber and exposing the one or more features of the substrate to at least one precursor at a pressure of about 1 bar or greater. Another embodiment includes positioning a substrate having one or more features formed in a surface of the substrate in a process chamber. Each of the one or more features has seams of a material. The seams of the material are exposed to at least one precursor at a pressure of about 1 bar or greater. |
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Bibliography: | Application Number: KR20217017709 |