웨이퍼들의 접합 조립체로부터 벌크 기판을 제거하기 위한 방법

• Main Authors: CHOWDHURY MURSHED, MATSUNO KOICHI, ALSMEIER JOHANN, KAI JAMES
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.06.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

제1 기판, 제1 기판 위에 놓이는 제1 반도체 디바이스들, 및 제1 반도체 디바이스들 위에 놓이는 제1 유전체 재료 층들을 포함하는 제1 웨이퍼가 제공된다. 제2 기판을 포함하는 제2 웨이퍼의 상부 표면 위에 희생 재료 층이 형성된다. 제2 반도체 디바이스들 및 제2 유전체 재료 층들은 희생 재료 층의 상부 표면 위에 형성된다. 제2 웨이퍼는, 제2 유전체 재료 층들이 제1 유전체 재료 층들과 대면하도록 제1 웨이퍼에 부착된다. 복수의 공극들이 제2 기판을 통해 형성된다. 희생 재료 층은 복수의 공극들을 통해 희생 재료 층의 재료를 에칭하는 에천트를 제공함으로써 제거된다. 기판은 희생 재료 층의 제거 시에 제1 웨이퍼, 제2 반도체 디바이스들, 및 제2 유전체 재료 층들을 포함하는 접합 조립체로부터 분리된다. A first wafer including a first substrate, first semiconductor devices overlying the first substrate, and first dielectric material layers overlying the first semiconductor devices is provided. A sacrificial material layer is formed over a top surface of a second wafer including a second substrate. Second semiconductor devices and second dielectric material layers are formed over a top surface of the sacrificial material layer. The second wafer is attached to the first wafer such that the second dielectric material layers face the first dielectric material layers. A plurality of voids is formed through the second substrate. The sacrificial material layer is removed by providing an etchant that etches a material of the sacrificial material layer through the plurality of voids. The substrate is detached from a bonded assembly including the first wafer, the second semiconductor devices, and the second dielectric material layers upon removal of the sacrificial material layer.