패터닝 디바이스 또는 기판에 걸친 마크 레이아웃 결정 방법

• Main Authors: SMAL PAVEL, SARMA GAUTAM, SOCHAL INEZ MARLENA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.06.2021
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

패터닝 디바이스 또는 기판에 걸쳐 마크 위치의 레이아웃을 결정하는 방법이 개시되며, 본 방법은 a) 하나 이상의 마크 위치에서 패터닝 디바이스 또는 기판에서 수행된 측정과 연관된 데이터를 모델링하도록 구성된 모델을 획득하는 것(502); b) 초기 마크 위치를 포함하는 초기 마크 레이아웃(506)을 획득하는 것(504); c) 복수의 감소된 마크 레이아웃(510)을 획득하기 위해 하나 이상의 마크 위치의 제거에 의하여 초기 마크 레이아웃을 감소시키는 것(508) - 각각의 감소된 마크 레이아웃은 초기 마크 레이아웃으로부터의 상이한 마크 위치의 제거에 의하여 획득됨 -; d) 복수의 감소된 마크 레이아웃 중 각각의 감소된 마크 레이아웃에 대하여 모델의 사용과 연관된 모델 불확실성 메트릭을 결정하는 것(512); 및 e) 복수의 감소된 마크 레이아웃과 연관된 모델 불확실성 메트릭을 기반으로 하나 이상의 감소된 마크 레이아웃(516)을 선택하는 것(514)을 포함한다. A method for determining a layout of mark positions across a patterning device or substrate, the method including: obtaining a model configured to model data associated with measurements performed on the patterning device or substrate at one or more mark positions; obtaining an initial mark layout including initial mark positions; reducing the initial mark layout by removal of one or more mark positions to obtain a plurality of reduced mark layouts, each reduced mark layout obtained by removal of a different mark position from the initial mark layout; determining a model uncertainty metric associated with usage of the model for each reduced mark layout out of the plurality of reduced mark layouts; and selecting one or more reduced mark layouts based on its associated model uncertainty metric.