METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING A SHAPE OF A PATTERN OVER A SUBSTRATE

• Main Author: KATSUNUMA TAKAYUKI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 18.06.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An apparatus and a method process a substrate in a first session and a second session. In the first session, a hybrid gas application cycle is performed in a chamber of holding a substrate. First gas is introduced for a first period so that a component of the first gas is adsorbed on the substrate. Subsequently, second gas is introduced for a second period so that the second gas reacts with the component of the first gas to provide a protective layer on a sidewall of a substrate pattern, and the second gas etches the bottom portion of the pattern. The ratio of the first period to the second period is the use-ratio. Then, in the second session, the hybrid gas application cycle is repeated at different use-ratio corresponding to the vertical dimension of the pattern. It is possible to prevent excessive tapering or excessive bending. 장치 및 방법은 제 1 세션 및 제 2 세션에서 기판을 처리한다. 제 1 세션에서, 하이브리드 가스 적용 사이클은 기판을 유지하는 챔버에서 수행된다. 제 1 가스는 제 1 기간 동안 도입되어, 제 1 가스의 성분이 기판상에 흡착된다. 후속하여, 제 2 가스가 제 2 기간 동안 도입되어 제 2 가스가 제 1 가스의 성분과 반응함으로써, 기판 패턴의 측벽상에 보호층을 제공하고 제 2 가스가 패턴의 바닥 부분을 에칭하며, 제 1 기간 대 제 2 기간의 비율은 사용률(use-ratio)이다. 그 다음, 제 2 세션에서, 하이브리드 가스 적용 사이클은 패턴의 수직 치수(vertical dimension)에 대응하는 상이한 사용률로 반복된다.