멤브레인 어셈블리를 제조하는 방법

• Main Authors: BALTUSSEN SANDER, VALEFI MAHDIAR, VAN DER WOORD TIES WOUTER, FRANKEN JOHANNES CHRISTIAAN LEONARDUS, VAN DE KERKHOF MARCUS ADRIANUS, KNAPEN PETER SIMON ANTONIUS, ZDRAVKOV ALEKSANDAR NIKOLOV, DE GRAAF DENNIS, KUZNETSOV ALEXEY SERGEEVICH, GIESBERS ADRIANUS JOHANNES MARIA, VAN DEN EINDEN WILHELMUS THEODORUS ANTHONIUS JOHANNES, VAN ZWOL PIETER JAN, WONDERGEM HENDRIKUS JAN, KLEIN ALEXANDER LUDWIG, KLOOTWIJK JOHAN HENDRIK, KURGANOVA EVGENIA, NOTENBOOM ARNOUD WILLEM
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 17.06.2021
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

EUV 리소그래피용 멤브레인 어셈블리를 제조하기 위한 방법으로서, 방법은: 스택을 제공하는 것 - 스택은: 평면 기판 - 평면 기판은 내부 영역 및 내부 영역 주위의 경계 영역을 포함함 - 에 의해 지지되는 적어도 하나의 멤브레인 층; 및 평면 기판과 멤브레인 층 사이의 제1 희생 층을 포함함 - ; 평면 기판의 내부 영역을 선택적으로 제거하는 것 - 평면 기판의 내부 영역을 선택적으로 제거하는 단계는, 멤브레인 층 및 그 산화물에 대해 유사한 에칭 레이트를 그리고 제1 희생 층에 대해 실질적으로 상이한 에칭 레이트를 갖는 에천트를 사용하는 것을 포함함 - 을 포함하고; 그 결과, 멤브레인 어셈블리는: 적어도 하나의 멤브레인 층으로부터 형성되는 멤브레인; 및 멤브레인을 유지하는 경계를 포함하되, 경계는 평면 기판의 경계 영역 및 경계와 멤브레인 층 사이에 위치되는 제1 희생 층을 포함한다. A method for manufacturing a membrane assembly for EUV lithography, the method including: providing a stack including: at least one membrane layer supported by a planar substrate, wherein the planar substrate has an inner region and a border region around the inner region; and a first sacrificial layer between the planar substrate and the membrane layer; selectively removing the inner region of the planar substrate such that the membrane assembly has: a membrane formed from the at least one membrane layer, and a border holding the membrane, the border having the border region of the planar substrate and the first sacrificial layer situated between the border region and the membrane layer, wherein the selectively removing the inner region of the planar substrate includes using an etchant which has a similar etch rate for the membrane layer and its oxide and a substantially different etch rate for the first sacrificial layer.