EPITAXIAL SOURCE OR DRAIN STRUCTURES FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE FABRICATION

• Main Authors: JACKSON MICHAEL J, HATTENDORF MICHAEL L, JOSHI SUBHASH
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 11.06.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Embodiments of the present disclosure relate to the field of advanced integrated circuit structure fabrication, in particular, the field of 10 nanometer node and smaller integrated circuit structure fabrication and resulting structures. In one example, an integrated circuit structure includes a fin comprising silicon, wherein the fin has a lower fin portion and an upper fin portion. The gate electrode is above the upper fin portion of the fin. The gate electrode has a first side opposite the second side. A first epitaxial source or drain structure is embedded in the fin at the first side of the gate electrode. A second epitaxial source or drain structure is embedded in the fin at the second side of the gate electrode. The first and second epitaxial source or drain structures include silicon and germanium and have a matchstick profile. 본 개시내용의 실시예들은 진보된 집적 회로 구조체 제조의 분야, 특히 10 나노미터 노드 및 보다 작은 집적 회로 구조체 제조 및 결과적인 구조체들의 분야에 관한 것이다. 일 예에서, 집적 회로 구조체는 실리콘을 포함하는 핀 - 핀은 하부 핀 부분 및 상부 핀 부분을 가짐 - 을 포함한다. 게이트 전극은 핀의 상부 핀 부분 위쪽에 있고, 게이트 전극은 제2 측면의 반대쪽에 있는 제1 측면을 갖는다. 제1 에피택셜 소스 또는 드레인 구조체는 게이트 전극의 제1 측면에서 핀에 임베딩된다. 제2 에피택셜 소스 또는 드레인 구조체는 게이트 전극의 제2 측면에서 핀에 임베딩되며, 제1 및 제2 에피택셜 소스 또는 드레인 구조체들은 실리콘 및 게르마늄을 포함하고 성냥개비 프로파일을 갖는다.