MOS SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING A METAL OXIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE

• Main Authors: CHO SU YEON, SONG JU HYEON, LEE KYU OK, HONG WON PYO, YOO JAE HYUN, KIM JUNG KYUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.06.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An embodiment of the present disclosure provides a semiconductor device. The semiconductor device includes: a semiconductor substrate; a drift region disposed on the semiconductor substrate and having a first conductive type; a body region disposed on the semiconductor substrate adjacent to the drift region and having a second conductive type; a drain region disposed on a side opposite to the body region in the drift region; a drain isolation insulating film disposed in a portion of the drift region adjacent to the drain region; a gate insulating layer disposed on the semiconductor substrate to overlap a portion of the body region and a portion of the drift region; and a gate electrode disposed on the gate insulating layer and having at least one closed-type opening. An object of the present invention is to provide the semiconductor device including an MOS structure having improved electrical operation characteristics and reliability. 본 개시의 일 실시예는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 배치되며, 제1 도전형을 갖는 드리프트 영역; 상기 드리프트 영역에 인접하도록 상기 반도체 기판에 배치되며, 제2 도전형을 갖는 바디 영역; 상기 드리프트 영역에서 상기 바디 영역과 반대 측에 배치된 드레인 영역; 상기 드리프트 영역의 상기 드레인 영역에 인접한 부분에 배치되는 드레인 분리 절연막; 상기 바디 영역의 일부와 상기 드리프트 영역의 일부 상에 걸치도록 상기 반도체 기판 상에 배치된 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 배치되며, 적어도 하나의 폐쇄형 개구(closed-type opening)를 갖는 게이트 전극;을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.