형광체 및 발광 장치

하기 식 1로 표시되는 β형 사이알론 형광체이며, 레이저 회절·산란법으로 측정하여 체적 빈도를 기준으로 하는 D10, D50, D90(단위는 각각 [㎛])에 관하여, D50이 10㎛ 이하이고, D10, D50, D90의 값이 하기 식 2의 관계를 만족시키는 β형 사이알론 형광체. 식 1: Si12-aAlaObN16-b:Eux (식 중, 0<a≤3; 0<b≤3; 0<x≤0.1) 식 2: (D90-D10)/D50<1.6 (단, 상기 레이저 회절·산란법으로 측정하여 체적 빈도를 기준으로 하는 D10, D50, D90...

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Main Authors MATSUFUJI TAKUYA, SUGITA KAZUYA, KONDO RYOUSUKE, KOBAYASHI KEITA, KAJIYAMA AKIHISA, MITANI SHUNSUKE
Format Patent
LanguageKorean
Published 20.05.2021
Subjects
ADHESIVES
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMISTRY
DYES
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE
METALLURGY
MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS
MISCELLANEOUS COMPOSITIONS
NATURAL RESINS
PAINTS
POLISHES
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:하기 식 1로 표시되는 β형 사이알론 형광체이며, 레이저 회절·산란법으로 측정하여 체적 빈도를 기준으로 하는 D10, D50, D90(단위는 각각 [㎛])에 관하여, D50이 10㎛ 이하이고, D10, D50, D90의 값이 하기 식 2의 관계를 만족시키는 β형 사이알론 형광체. 식 1: Si12-aAlaObN16-b:Eux (식 중, 0<a≤3; 0<b≤3; 0<x≤0.1) 식 2: (D90-D10)/D50<1.6 (단, 상기 레이저 회절·산란법으로 측정하여 체적 빈도를 기준으로 하는 D10, D50, D90(단위는 각각 [㎛])이, 측정하는 형광체 0.5g을, 헥사메타인산나트륨을 0.05wt％ 혼합한 이온 교환 수용액 100ml 내에 투입하고, 이것을 발진 주파수 19.5±1kHz, 진폭이 32±2㎛인 초음파 호모게나이저를 사용하여, 칩을 액의 중앙부에 배치하여 3분간 분산 처리한 액을 사용한 측정값이다.) A β-type sialon phosphor represented by the following expression 1, in which D50 is 10 μm or less, and values of D10, D50, and D90 satisfy a relationship of the following expression 2 with respect to D10, D50, and D90 (each unit is [μm]) on a volume frequency basis as measured according to a laser diffraction/scattering method. Expression 1: Si12-aAlaObN16-b:Eux (wherein 0<a≤3; 0<b≤3; 0<x≤0.1), expression 2: (D90−D10)/D50<1.6 (wherein the D10, D50, and D90 (each unit is [μm]) on a volume frequency basis as measured according to the laser diffraction/scattering method.
Bibliography:Application Number: KR20217010309