형광체 및 발광 장치

• Main Authors: SUGITA KAZUYA, TAKEDA YUSUKE, KOBAYASHI KEITA, KAJIYAMA AKIHISA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 20.05.2021
• Subjects: ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; PAINTS; POLISHES; SEMICONDUCTOR DEVICES

주 결정상이 CaAlSiN3과 동일한 결정 구조를 갖는, 일반식이 MAlSiN3:Eu(M은 Sr, Mg, Ca, Ba 중에서 선택되는 1종 이상의 원소)로 나타나는 형광체이며, 레이저 회절 산란법으로 측정한 입자경 분포에 있어서의, 체적 빈도를 기준으로 하는 d10, d50, d90(단위는 각각 [㎛])을 사용하여 나타나는 스판값 (d90-d10)/d50의 값이 1.70 이하, d50이 10.0㎛ 이하인 조건을 충족하는 형광체. (단, 상기 레이저 회절 산란법으로 측정한 입자경 분포에 있어서의, 체적 빈도를 기준으로 하는 d10, d50, d90은, 측정하는 형광체 0.5g을, 헥사메타인산나트륨을 0.05wt％ 혼합한 이온 교환 수용액 100ml 내에 투입하고, 이것을 발진 주파수 19.5±1㎑, 칩 크기 20φ, 진폭이 32±2㎛인 초음파 호모게나이저를 사용하여, 칩을 액의 중앙부에 배치하여 3분간 분산 처리한 액을 사용한 측정값이다.) A phosphor which has a main crystal phase having the same crystal structure as that of CaAlSiN3, wherein the phosphor satisfies conditions of a span value (d90−d10)/d50 of 1.70 or less and a d50 of 10.0 μm or less, as represented with d10, d50, and d90 on a volume frequency measured according to a laser diffraction method; wherein the d10, d50, and d90 on a volume frequency in a particle distribution measured are each a measured by loading 0.5 g of a phosphor into 100 ml of a solution of 0.05% by weight of sodium hexametaphosphate mixed in ion exchange water, and subjecting the resultant to a dispersing treatment for 3 minutes with an ultrasonic homogenizer at an oscillation frequency of 19.5±1 kHz, a chip size of 20φ, and an amplitude of vibration of 32±2 μm, with a chip placed at a central portion.