하이브리드 집적을 위한 진보된 기판 생성 프로세스
프로세스는: - 리시버 기판(20) 및 도너 기판(10)을 제공하는 단계로서, 도너 기판(10)은: 캐리어 기판(11), 활성층(13)에 대해 선택적으로 에칭될 수 있는 희생층(12), 및 활성층(13) 상에 배치된 실리콘 산화물층(14)을 연속적으로 포함하는, 제공하는 단계; - 제1 두께를 갖는 제1 부분(14a) 및 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 제2 부분(14b)을 형성하도록 산화물층(14)에 캐비티(30)를 형성하는 단계; - 연속적이고 실질적으로 평면인 표면(41)을 형성하도록 캐비티를 다결정 실리콘(40)으로 충진...
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Format | Patent |
Language | Korean |
Published |
17.05.2021
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