하이브리드 집적을 위한 진보된 기판 생성 프로세스

• Main Author: SCHWARZENBACH WALTER
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 17.05.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

프로세스는: - 리시버 기판(20) 및 도너 기판(10)을 제공하는 단계로서, 도너 기판(10)은: 캐리어 기판(11), 활성층(13)에 대해 선택적으로 에칭될 수 있는 희생층(12), 및 활성층(13) 상에 배치된 실리콘 산화물층(14)을 연속적으로 포함하는, 제공하는 단계; - 제1 두께를 갖는 제1 부분(14a) 및 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 제2 부분(14b)을 형성하도록 산화물층(14)에 캐비티(30)를 형성하는 단계; - 연속적이고 실질적으로 평면인 표면(41)을 형성하도록 캐비티를 다결정 실리콘(40)으로 충진하는 단계; - 표면(41)에서 리시버 기판(20) 및 도너 기판(10)을 조립하는 단계; - 활성층(13)과 희생층(12)을 보존하면서 캐리어 기판(11)을 제거하는 단계;를 포함한다. A method of forming a substrate comprises providing a receiver substrate and a donor substrate successively comprising: a carrier substrate, a sacrificial layer, which can be selectively etched in relation to an active layer, and a silicon oxide layer, which is arranged on the active layer. A cavity is formed in the oxide layer to form a first portion that has a first thickness and a second portion that has a second thickness greater than the first thickness. The cavity is filled with a polycrystalline silicon filling layer to form a second free surface that is continuous and substantially planar. The receiver substrate and the donor substrate are assembled at the second free surface, and the carrier substrate is eliminated while preserving the active layer and the sacrificial layer.