SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT INCLUDING THE SAME

• Main Authors: TSENG YEN CHUN, CHIANG CHENG HSING, HUANG KUO FENG, LEE SHIH CHANG, CHIN MING TA, LEE YI CHING, YEH CHENG LONG, LIN CHIA HUNG, SUNG JUI CHE, CHENG SHIH HAO, YEN SHIH NAN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.05.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present disclosure provides a semiconductor device including a first semiconductor structure, a second semiconductor structure, and an active region. The first semiconductor structure includes a first dopant. The second semiconductor structure is located on the first semiconductor structure and includes a second dopant different from the first dopant. The active region is positioned between the first semiconductor structure and the second semiconductor structure and includes the first dopant. The semiconductor device has a maximum external quantum efficiency E_max% at a current density of J_E_max A/cm^2, and the semiconductor device has an external quantum efficiency of larger than or equal to 15% of E_max% at a current density of 0.001 * (J_E_max) A/cm^2. 본 발명의 내용은 제 1 반도체 구조, 제 2 반도체 구조 및 활성 영역을 포함하는 반도체 소자를 제공한다. 제 1 반도체 구조는 제 1 도펀트를 포함한다. 제 2 반도체 구조는 제 1 반도체 구조 상에 위치하며, 제 1 도펀트와 상이한 제 2 도펀트를 포함한다. 활성 영역은 제 1 반도체 구조와 제 2 반도체 구조 사이에 위치하며, 제 1 도펀트를 포함한다. 이 반도체 소자는 J_Emax A/cm2의 전류 밀도에서 최대 외부 양자 효율 Emax%를 가지며, 0.001*(J_Emax) A/cm2의 전류 밀도에서 상기 반도체 소자는 Emax%의 15% 이상의 외부 양자 효율을 가진다.