메모리 서브 시스템에 대한 기입 원자성 관리
대표적인 방법들, 장치들, 및 시스템들은 메모리 구성요소에 데이터를 원자적으로 기입하기 위한 명령어를 수신하는 것을 포함한다. 원자의 종료 표시자를 포함하는, 제1 데이터에 대한 복수의 기입 커맨드들이 생성된다. 제1 복수의 기입 커맨드들은 기입 커맨드들에 대응하는 복수의 변환 테이블 업데이트들을 누적하면서 메모리 구성요소로 전송된다. 하나 이상의 변환 테이블은 마지막 기입 커맨드가 메모리 구성요소로 성공적으로 전송되었다고 결정하는 것에 응답하여 복수의 변환 테이블 업데이트들로 업데이트된다. Exemplary methods, app...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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07.05.2021
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Summary: | 대표적인 방법들, 장치들, 및 시스템들은 메모리 구성요소에 데이터를 원자적으로 기입하기 위한 명령어를 수신하는 것을 포함한다. 원자의 종료 표시자를 포함하는, 제1 데이터에 대한 복수의 기입 커맨드들이 생성된다. 제1 복수의 기입 커맨드들은 기입 커맨드들에 대응하는 복수의 변환 테이블 업데이트들을 누적하면서 메모리 구성요소로 전송된다. 하나 이상의 변환 테이블은 마지막 기입 커맨드가 메모리 구성요소로 성공적으로 전송되었다고 결정하는 것에 응답하여 복수의 변환 테이블 업데이트들로 업데이트된다.
Exemplary methods, apparatuses, and systems include receiving an instruction to atomically write data to a memory component. A plurality of write commands for the first data are generated, including an end of atom indicator. The first plurality of write commands are sent to the memory component while accumulating a plurality of translation table updates corresponding to the write commands One or more translation tables are updated with the plurality of translation table updates in response to determining that the final write command has been successfully sent to the memory component. |
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Bibliography: | Application Number: KR20217012055 |