유기 반도체 소자, 변형 센서, 진동 센서 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
간이한 구성으로 원하는 저항이 얻어지는 유기 반도체 소자, 변형 센서, 진동 센서 및 유기 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 진동 센서는, 가요성을 갖는 기판(12)의 표면에 유기 반도체 소자(14)가 형성되어 있다. 유기 반도체 소자(14)는, 유기 반도체의 단결정을 막 형상으로 한 유기 반도체막(24)과, 이 유기 반도체막(24)의 표면에 형성된 도펀트막(25)을 갖는다. 도펀트막(25)은, 그것을 구성하는 도펀트와 유기 반도체막(24)의 유기 반도체 사이의 전하 이동 착체를 형성하고, 유기 반도체막(24)의 표면에 캐리어를...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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06.05.2021
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Summary: | 간이한 구성으로 원하는 저항이 얻어지는 유기 반도체 소자, 변형 센서, 진동 센서 및 유기 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 진동 센서는, 가요성을 갖는 기판(12)의 표면에 유기 반도체 소자(14)가 형성되어 있다. 유기 반도체 소자(14)는, 유기 반도체의 단결정을 막 형상으로 한 유기 반도체막(24)과, 이 유기 반도체막(24)의 표면에 형성된 도펀트막(25)을 갖는다. 도펀트막(25)은, 그것을 구성하는 도펀트와 유기 반도체막(24)의 유기 반도체 사이의 전하 이동 착체를 형성하고, 유기 반도체막(24)의 표면에 캐리어를 주입한 도프층(26)을 형성한다.
Provided are an organic semiconductor element which is advantageous in that a desired resistance can be obtained from the element having a simple construction, a strain sensor, a vibration sensor, and a method for producing an organic semiconductor element. The vibration sensor includes an organic semiconductor element 14 formed on the surface of a substrate 12 having flexibility. The organic semiconductor element 14 includes an organic semiconductor film 24 which is a film formed from single crystal of an organic semiconductor, and a dopant film 25 formed on the surface of the organic semiconductor film 24. The dopant film 25 forms a charge transfer complex of the dopant constituting the dopant film and the organic semiconductor in the organic semiconductor film 24, forming a doped layer 26 having carriers injected into a surface of the organic semiconductor film 24. |
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Bibliography: | Application Number: KR20217009060 |