수평 GAA 나노-와이어 및 나노-슬래브 트랜지스터들

수평 게이트-올-어라운드 디바이스들 및 이를 제조하는 방법들이 설명된다. hGAA 디바이스들은 디바이스의 소스 영역들과 드레인 영역들 사이에 도핑된 반도체 재료를 포함한다. 방법은 전자 디바이스의 소스 영역들과 드레인 영역들 사이의 반도체 재료 층들을 도핑하는 단계를 포함한다. Horizontal gate-all-around devices and methods of manufacturing same are described. The hGAA devices comprise a doped semiconductor material bet...

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Main Authors GOSSMANN HANS JOACHIM, COLOMBEAU BENJAMIN
Format Patent
LanguageKorean
Published 04.05.2021
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:수평 게이트-올-어라운드 디바이스들 및 이를 제조하는 방법들이 설명된다. hGAA 디바이스들은 디바이스의 소스 영역들과 드레인 영역들 사이에 도핑된 반도체 재료를 포함한다. 방법은 전자 디바이스의 소스 영역들과 드레인 영역들 사이의 반도체 재료 층들을 도핑하는 단계를 포함한다. Horizontal gate-all-around devices and methods of manufacturing same are described. The hGAA devices comprise a doped semiconductor material between source regions and drain regions of the device. The method includes doping semiconductor material layers between source regions and drain regions of an electronic device.
Bibliography:Application Number: KR20217008009