SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: YAMAZAKI SHUNPEI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.05.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

산화물 반도체층을 사용하는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치로서 적은 전력 소비를 갖는 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 산화물 반도체층을 사용하는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치로서 높은 신뢰성을 갖는 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 반도체 장치에서, 게이트 전극층(게이트 배선층)은 게이트 절연층 및 박막 트랜지스터의 산화물 반도체층을 커버하는 절연층이 그 사이에 개재되어 소스 전극층 또는 드레인 전극층에 전기적으로 접속된 배선층과 교차한다. 따라서, 게이트 전극층, 게이트 절연층, 및 소스 또는 드레인 전극층들의 적층 구조에 의해 형성된 기생 용량이 감소될 수 있어서, 반도체 장치의 낮은 전력 소비가 실현될 수 있다. It is an object to provide a semiconductor device with less power consumption as a semiconductor device including a thin film transistor using an oxide semiconductor layer. It is an object to provide a semiconductor device with high reliability as a semiconductor device including a thin film transistor using an oxide semiconductor layer. In the semiconductor device, a gate electrode layer (a gate wiring layer) intersects with a wiring layer which is electrically connected to a source electrode layer or a drain electrode layer with an insulating layer which covers the oxide semiconductor layer of the thin film transistor and a gate insulating layer interposed therebetween. Accordingly, the parasitic capacitance formed by a stacked-layer structure of the gate electrode layer, the gate insulating layer, and the source or drain electrode layer can be reduced, so that low power consumption of the semiconductor device can be realized.