APPARATUS AND METHODS FOR SELECTIVELY ETCHING FILMS

• Main Authors: WANG FEI, WALIMBE ADITYA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 30.04.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLICMATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASSC23 AND AT LEAST ONEPROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25; NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed are a device and a method for selectively etching films. The present device and method relate to maintaining the etch rate of a particular layer while keeping an unetched layer intact. An etching process may be performed by co-introducing a hydrogen precursor gas and a fluorine precursor gas into a remote plasma unit. The resulting gas mixture may then be flowed onto a substrate having, for example, silicon oxide as an etched layer and silicon nitride as an unetched layer. A reaction between the resulting gas mixture and the specific layer takes place to etch the silicon oxide layer while retaining the silicon nitride layer in the above example. 특정 층을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법이 개시된다. 본 장치 및 방법은, 비에칭 층을 온전하게 유지하면서, 특정 층의 에칭 속도를 유지하는 것에 관한 것이다. 에칭 공정은, 수소 전구체 가스와 불소 전구체 가스를 원격식 플라즈마 유닛으로 공동 유입함으로써 이루어질 수 있다. 그 다음 최종 가스 혼합물은, 예를 들어 에칭 층으로서 실리콘 산화물과 비에칭 층으로서 실리콘 질화물을 갖는 기판 상으로 흐를 수 있다. 최종 가스 혼합물과 특정 층 사이의 반응이 일어나서 상기 예에서 실리콘 질화물 층을 유지하면서 실리콘 산화물 층을 에칭한다.