Substrate processing apparatus

• Main Authors: ZHAO NANYI, PARK SANG CHEOL, JANG WOOK SANG, OH JUNG HUN, SEO KANG HYUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 30.04.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The present invention relates to a substrate processing apparatus for thin film formation on a substrate or thin film etching. The apparatus includes: a process chamber having a processing space where at least one substrate can be processed; a substrate support rotatably provided in the processing space of the process chamber so that the at least one substrate can be supported; and a shower head provided above the process chamber so as to face the substrate support and having a fan shape such that the substrate moving in a circular orbit around the axis of rotation of the substrate support is capable of sequentially passing through processing gas injection regions. At the shower head, gas injection units injecting a processing gas, which is one of source, reaction, and purge gases, are radially spaced apart around the axis of rotation on the facing surface that faces the substrate support. The shower head includes: a drain unit formed at one or more points between the gas injection units, formed in a linear flow path shape extending with length in the outer peripheral surface direction from the center portion of the shower head, and draining exhaust gases exhausted after injection at the adjacent gas injection unit in the outer peripheral surface direction of the shower head; and a cover plate installed at the drain unit, providing at least partial covering below the drain unit, and having an inflow hole portion for communication between the outside and at least a part of the region covering the drain unit so that the exhaust gas is capable of flowing into the drain unit with ease and can be drained. 본 발명은 기판에 박막을 형성하거나 박막을 식각할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 기판을 처리할 수 있는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버와, 적어도 하나의 상기 기판을 지지할 수 있도록 상기 공정 챔버의 상기 처리 공간에 회전 가능하게 구비되는 기판 지지대 및 상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되고, 상기 기판 지지대의 회전축을 중심으로 원궤도(Circular orbit)로 이동하는 상기 기판이 복수의 처리 가스 분사 영역을 순차적으로 통과할 수 있도록, 부채꼴 형상으로 형성되어 소스 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스 중 어느 하나의 처리 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 유닛이 상기 기판 지지대와 대향되는 대향면에 상기 회전축을 중심으로 방사상으로 이격 배치되는 샤워 헤드를 포함하고, 상기 샤워 헤드는, 상기 복수의 가스 분사 유닛의 각 가스 분사 유닛 사이 중 적어도 어느 한 곳에 형성되고, 상기 샤워 헤드의 중심부에서 외주면 방향으로 길게 연장되는 직선형의 유로 형상으로 형성되어, 인접한 가스 분사 유닛에서 분사된 후 배기되는 배기 가스들을 상기 샤워 헤드의 외주면 방향으로 드레인시키는 드레인부 및 상기 드레인부에 설치되어 상기 드레인부 하방의 적어도 일부분을 커버하고, 상기 배기 가스가 상기 드레인부로 용이하게 유입되어 드레인될 수 있도록, 상기 드레인부를 커버하는 영역의 적어도 일부분을 외부와 연통시키는 유입 홀부가 형성되는 커버 플레이트를 포함할 수 있다.