LOW-RESISTANCE INTERCONNECT STRUCTURES

• Main Authors: WANG MEI YUN, CHAO KUO YI, WANG CHAO HSUN, LIU RU GUN, HSUEH WANG JUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.04.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed are an interconnect structure and a method for forming the same. The exemplary interconnect structure comprises: a first contact feature in a first dielectric layer; a second dielectric layer over the first dielectric layer; a second contact feature over the first contact feature; a barrier layer between the second dielectric layer and the second contact feature; and a liner between the barrier layer and the second contact feature. An interface between the first contact feature and the second contact feature includes the liner but is free of the barrier layer. 인터커넥트 구조와 이것을 형성하는 방법이 여기에 개시된다. 예시적인 인터커넥트 구조는 제1 유전체층 내의 제1 컨택 피처와, 제1 유전체층 위의 제2 유전체층과, 제1 컨택 피처 위의 제2 컨택 피처와, 상기 제2 유전체층과 제2 유전체 피처 사이의 배리어층과, 배리어충과 제2 컨택 피처 사이의 라이너를 포함한다. 제1 컨택 피처와 제2 컨택 피처 사이의 계면은 라이너는 포함하지만 배리어층은 없다.