IMAGE SENSOR

• Main Authors: CHU MYUNG LAE, LEE JAE KYU, JEON JAE HOON, PARK SANG CHUN, LEE GWI DEOKRYAN, LEE TAE YON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.04.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is an image sensor with improved performance by reducing a leakage current and noise. The image sensor comprises: a substrate including a first surface and a second surface opposite to each other; a first gate electrode on a first side of the substrate; a photoelectric conversion layer generating photocharges from incident light incident in a first direction; a transistor structure spaced apart from the photoelectric conversion layer on a first surface of the substrate and including a third surface opposite to the first direction and a fourth surface opposite to the third surface; and a light blocking film spaced apart from the photoelectric conversion layer on the third surface of the transistor structure. The transistor structure includes a semiconductor layer connected to the first gate electrode and containing a metal oxide semiconductor material and a second gate electrode on the semiconductor layer. 누설 전류 및 노이즈가 경감되어 성능이 향상된 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서는, 서로 반대되는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 기판, 기판의 제1 면 상의 제1 게이트 전극, 제1 방향으로 입사되는 입사광으로부터 광전하를 생성하는 광전 변환층, 기판의 제1 면 상에, 광전 변환층으로부터 이격되며, 제1 방향과 대향되는 제3 면 및 제3 면과 반대되는 제4 면을 포함하는 트랜지스터 구조체, 및 트랜지스터 구조체의 제3 면 상에, 광전 변환층으로부터 이격되는 광 차단막을 포함하고, 트랜지스터 구조체는, 제1 게이트 전극과 접속되며 금속 산화물 반도체 물질을 포함하는 반도체층과, 반도체층 상의 제2 게이트 전극을 포함한다.