THIN FILM FORMATION METHOD

• Main Authors: OGAWA YOHEI, ROZEN JOHN, KATO NOBUYUKI, LEE KEON CHANG, HATANAKA MASANOBU, YAMADA TAKAKAZU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 21.04.2021
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

본 발명의 방법은, 막이 상부에 형성되는 대상의 온도를 적어도 200℃로 상승시키고, 막 형성 물질 및 캐리어 가스가 상기 막 형성 물질이 상기 막이 상부에 형성되는 상기 대상 상에 증착되도록 상기 막이 상부에 형성되는 상기 대상에 공급되는 제1 상태로부터 상기 막 형성 물질의 공급이 상기 제1 상태로부터 생략되는 제2 상태로 변경시키기 위한 제1 단계; 및 상기 막이 상부에 형성되는 상기 대상의 온도를 적어도 200℃로 상승시키고, 수소 가스 및 캐리어 가스가 상기 막 형성 물질을 환원시키도록 상기 막이 상부에 형성되는 상기 대상에 공급되는 제3 상태로부터 상기 수소 가스의 공급이 상기 제3 상태로부터 제거되는 제4 상태로 변경시키기 위한 제2 단계를 포함한다. 상기 막 형성 물질은 Al(CxH2x+1)3, Al(CxH2x+1)2H 및 Al(CxH2x+1)2Cl로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 임의의 하나의 물질이다. 적어도 20 원자%의 알루미늄 원자 함량을 갖는 알루미늄 카바이드막이 상기 제1 단계 및 상기 제2 단계를 교대로 반복하여 상기 막이 상부에 형성되는 상기 대상의 표면상에 형성된다. This method comprises: a first step for raising the temperature of an object on which a film is being formed to at least 200°C and changing from a first state in which a film-forming material and a carrier gas are supplied to the object on which the film is being formed to deposit the film-forming material on the object on which the film is being formed to a second state in which the supply of the film-forming material is eliminated from the first state; and a second step for raising the temperature of the object on which the film is being formed to at least 200°C and changing from a third state in which hydrogen gas and a carrier gas are supplied to the object on which the film is being formed to reduce the film-forming material to a fourth state in which the supply of the hydrogen gas is eliminated from the third state. The film-forming material is any one material selected from the group consisting of Al(C x H 2x+1 ) 3 , Al(C x H 2x+1 ) 2 H, and Al(C x (H 2x+1 ) 2 Cl. An aluminum carbide film with an aluminum atom content of at least 20 atom% is formed on the surface of the object on which the film is formed by alternately repeating the first step and the second step.