EUV 장치용 조명 시스템을 제조하기 위한 방법

• Main Authors: BAUMER FLORIAN, LICHTENTHAELER JOERG
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 21.04.2021
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

EUV 장치용 조명 시스템을 제조하기 위한 방법은 이하의 단계: 소스 위치(SR)로부터 조명될 조명 필드(BF)로 연장하는 조명 빔 경로를 설정하기 위해 미러 모듈을 위해 제공된 설치 위치에 조명 시스템(ILL)의 미러 모듈(FAC1, FAC2, CO)을 설치하는 단계; 조명 빔 경로의 제1 미러 모듈(FAC1)의 상류측의 입력 커플링 위치에서 조명 빔 경로 내로 측정 광을 커플링하는 단계; 조명 빔 경로의 각각의 미러 모듈에서 측정 광의 반사 후에 측정 광을 검출하는 단계; 검출된 측정 광으로부터 적어도 하나의 시스템 측정 변수를 위한 실제 측정값을 확인하는 단계로서, 실제 측정값은 조명 시스템의 시스템 측정 변수의 실제 상태를 표현하는, 실제 측정값 확인 단계; 실제 측정값으로부터 보정값을 확인하는 단계; EUV 방사선 소스로부터의 EUV 방사선의 조사의 경우에, 조명 필드 내의 조명 방사선이 규정된 조명 사양을 충족하도록 하는 방식으로 실제 상태를 변경하기 위해 보정값을 사용하여 적어도 하나의 미러 모듈을 조정하는 단계를 포함한다. 이 경우, 미러 모듈(CO) 중 적어도 하나는, 적외선 범위로부터의 입사 방사선의 적어도 하나의 부분이 조명 빔 경로로부터 회절되도록 설계되는, IR 회절 구조체(DS-IR)가 적용되는 미러면을 갖는다. 가시 스펙트럼 범위(VIS)로부터의 파장(λ)을 갖는 측정 광이 사용되고, 측정 광의 파장(λ)은 IR 회절 구조체(DS-IR)에서 회절된 더 높은 차수의 측정 광이 실질적으로 억제되는 이러한 방식으로 선택된다. A method for producing an illumination system for an EUV apparatus comprises the following steps: installing mirror modules (FAC1, FAC2, CO) of the illumination system (ILL) at installation positions provided for the mirror modules to establish an illumination beam path which extends from a source position (SR) to an illumination field (BF) to be illuminated; coupling measurement light into the illumination beam path at an input coupling position upstream of a first mirror module (FAC1) of the illumination beam path; detecting measurement light after reflection of the measurement light at each of the mirror modules of the illumination beam path; ascertaining actual measurement values for at least one system measurement variable from detected measurement light, wherein the actual measurement values represent an actual state of the system measurement variable of the illumination system; ascertaining correction values from the actual measurement values; and adjusting at least one mirror module using the correction values to change the actual state in a manner such that in the case of irradiation with EUV radiation from the EUV radiation source, the illumination radiation in the illumination field fulfils a defined illumination specification. In this case, at least one of the mirror modules (CO) has a mirror surface to which an IR diffraction structure (DS-IR) is applied, which is designed such that at least one portion of incident radiation from the infrared range is diffracted out of the illumination beam path. Measurement light having a wavelength λ from the visible spectral range (VIS) is used, wherein the wavelength λ of the measurement light is selected in such a way that higher orders of measurement light diffracted at the IR diffraction structure (DS-IR) are substantially suppressed.