PASSIVATION OF LIGHT-RECEIVING SURFACES OF SOLAR CELLS

• Main Authors: DAMON LACOSTE JEROME, SALOMON ANTOINE MARIE OLIVIER, RIM SEUNG BUM, SOLOMON GENEVIEVE A, JOHNSON MICHAEL C
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.04.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

태양 전지의 수광 표면을 패시베이션하는 방법, 및 생성되는 태양 전지가, 기술된다. 일례에서, 태양 전지는 수광 표면을 갖는 규소 기판을 포함한다. 규소 기판의 수광 표면 위에 진성 규소 층이 배치된다. 진성 규소 층 상에 N형 규소 층이 배치된다. N형 규소 층 상에 비전도성 반사 방지 코팅(ARC) 층이 배치된다. 다른 실시예에서, 태양 전지는 수광 표면을 갖는 규소 기판을 포함한다. 규소 기판의 수광 표면 상에 터널링 유전체 층이 배치된다. 터널링 유전체 층 상에 N형 규소 층이 배치된다. N형 규소 층 상에 비전도성 반사 방지 코팅(ARC) 층이 배치된다. Methods of passivating light-receiving surfaces of solar cells, and the resulting solar cells, are described. In an example, a solar cell includes a silicon substrate having a light-receiving surface. An intrinsic silicon layer is disposed above the light-receiving surface of the silicon substrate. An N-type silicon layer is disposed on the intrinsic silicon layer. A non-conductive anti-reflective coating (ARC) layer is disposed on the N-type silicon layer. In another example, a solar cell includes a silicon substrate having a light-receiving surface. A tunneling dielectric layer is disposed on the light-receiving surface of the silicon substrate. An N-type silicon layer is disposed on the tunneling dielectric layer. A non-conductive anti-reflective coating (ARC) layer is disposed on the N-type silicon layer.