다수의 메모리 구성요소들을 모니터링하기 위한 용량성 분압기

메모리 서브 시스템은 복수의 메모리 구성요소들을 포함하며, 상기 메모리 구성요소들 중 적어도 두 개의 메모리 구성요소들은 상이한 공급 전압들에서 작동하도록 구성된다. 용량성 분압기(CVD)는 상기 메모리 구성요소들 각각의 사용 상태에 응답하여, 복수의 커패시터들의 복수의 연결부들 중에서 연결부를 상기 메모리 서브 시스템의 입력 전압을 감소시키도록 선택하도록 구성된다. 상기 복수의 연결부들은 상기 상이한 공급 전압들에 대응하는 상이한 전압 크기들을 제공하도록 구성되고, 상기 CVD는 또한 상기 메모리 구성요소들 각각의 상기 사용을 가...

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Main Author ROWLEY MATTHEW D
Format Patent
LanguageKorean
Published 13.04.2021
Subjects
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Summary:메모리 서브 시스템은 복수의 메모리 구성요소들을 포함하며, 상기 메모리 구성요소들 중 적어도 두 개의 메모리 구성요소들은 상이한 공급 전압들에서 작동하도록 구성된다. 용량성 분압기(CVD)는 상기 메모리 구성요소들 각각의 사용 상태에 응답하여, 복수의 커패시터들의 복수의 연결부들 중에서 연결부를 상기 메모리 서브 시스템의 입력 전압을 감소시키도록 선택하도록 구성된다. 상기 복수의 연결부들은 상기 상이한 공급 전압들에 대응하는 상이한 전압 크기들을 제공하도록 구성되고, 상기 CVD는 또한 상기 메모리 구성요소들 각각의 상기 사용을 가능하게 하기 위해 상기 상이한 공급 전압들을 출력하도록 구성된다. A memory sub-system includes a plurality of memory components where at least two of the memory components are configured to operate at different supply voltages. A capacitive voltage divider (CVD) configured to, responsive to a status of use of each of the memory components, select between a plurality of connections of a plurality of capacitors to reduce an input voltage of the memory sub-system. The plurality of connections is configured to provide different voltage magnitudes that correspond to the different supply voltages, and the CVD is further configured to output the different supply voltages to enable the use of each of the memory components.
Bibliography:Application Number: KR20217009450