SEMICONDUCTOR DEVICE METHOD FOR DRIVING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR DRIVING ELECTRONIC DEVICE
이미지 캡처링 기간이 짧은 고체 촬상 장치를 제공한다. n번째 행 m번째 열의 화소에서의 제 1 포토다이오드가 트랜지스터를 통하여 (n+1)번째 행 m번째 열의 화소에서의 제 2 포토다이오드에 접속된다. 제 1 포토다이오드 및 제 2 포토다이오드는 동시에 수광하고, 수광량에 따른 전위가 n번째 행 m번째 열의 화소에서 유지되고, 리셋 동작을 행하지 않고 수광량에 따른 전위가 (n+1)번째 행 m번째 열의 화소에서 유지된다. 그리고, 각 전위가 판독된다. 대량의 광 아래에서는 제 1 포토다이오드 또는 제 2 포토다이오드의 어느 한쪽을...
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Main Authors | , |
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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12.04.2021
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Summary: | 이미지 캡처링 기간이 짧은 고체 촬상 장치를 제공한다. n번째 행 m번째 열의 화소에서의 제 1 포토다이오드가 트랜지스터를 통하여 (n+1)번째 행 m번째 열의 화소에서의 제 2 포토다이오드에 접속된다. 제 1 포토다이오드 및 제 2 포토다이오드는 동시에 수광하고, 수광량에 따른 전위가 n번째 행 m번째 열의 화소에서 유지되고, 리셋 동작을 행하지 않고 수광량에 따른 전위가 (n+1)번째 행 m번째 열의 화소에서 유지된다. 그리고, 각 전위가 판독된다. 대량의 광 아래에서는 제 1 포토다이오드 또는 제 2 포토다이오드의 어느 한쪽을 사용한다.
To provide a solid-state imaging device with short image-capturing duration. A first photodiode in a pixel in an n-th row and an m-th column is connected to a second photodiode in a pixel in an (n+1)-th row and the m-th column through a transistor. The first photodiode and the second photodiode receive light concurrently, the potential in accordance with the amount of received light is held in a pixel in the n-th row and the m-th column, and the potential in accordance with the amount of received light is held in a pixel in the (n+1)-th row and the m-th column without performing a reset operation. Then, each potential is read out. Under a large amount of light, either the first photodiode or the second photodiode is used. |
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Bibliography: | Application Number: KR20217009935 |