FILM STRUCTURE FOR BOND PAD

• Main Authors: TSAI TZU CHUNG, YANG JULIE, CHANG YAO WEN, WU CHII MING
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.04.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present disclosure, in some embodiments, relates to a method of forming an integrated chip. The method includes a step of forming a plurality of bond pad structures over an interconnect structure on a front side of a semiconductor body. The plurality of bond pad structures respectively have a titanium contact layer. The interconnect structure and the semiconductor body are patterned to define trenches extending into the semiconductor body. A dielectric filling material is formed within the trenches. The dielectric filling material is etched to expose the titanium contact layer before bonding the semiconductor body to a carrier substrate. The semiconductor body is thinned to expose the dielectric filling material along a back-side of the semiconductor body and to define a plurality of integrated chip die. The dielectric filling material is removed to separate the plurality of integrated chip die. 본 개시내용은, 일부 실시형태에 있어서, 집적 칩을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 방법은 반도체 바디부의 전면 상에서 인터커넥트 구조 위에 복수의 본드 패드 구조를 형성하는 단계를 포함한다. 복수의 본드 패드 구조는 각각 티탄 컨택층을 구비한다. 인터커넥트 구조와 반도체 바디부는 반도체 바디부로 연장되는 트렌치를 규정하도록 패터닝된다. 유전체 충전 재료가 트렌치 내에 형성된다. 반도체 바디부를 캐리어 기판에 본딩하기 전에 티탄 컨택층을 노출시키기 위해 유전체 충전 재료가 에칭된다. 반도체 바디부는 반도체 바디부의 후면을 따라 유전체 충전 재료를 노출시키고 복수의 집적 칩 다이를 규정하도록 얇아진다. 유전체 충전 재료는 복수의 집적 칩 다이를 분리시키기 위해 제거된다.