MEMORY DEVICE

• Main Author: KWON YONG JIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.04.2021
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

A memory device according to one embodiment of the present invention comprises a plurality of bit lines extending in the first direction, a plurality of lower memory cells disposed under the bit lines and connected to the bit lines, and a plurality of upper memory cells disposed above the bit lines and connected to the bit lines; and comprises a plurality of cell array regions and a plurality of bit line contact regions alternately arranged in the first direction, the upper memory cells and the lower memory cells are disposed in the cell array regions, and only the upper memory cells are disposed in at least one of the bit line contact regions. Therefore, the present invention is capable of improving the reliability of the memory device. 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 장치는, 제1 방향으로 연장되는 복수의 비트라인들, 상기 비트라인들 하부에 배치되며, 상기 비트라인들에 연결되는 복수의 하부 메모리 셀들, 및 상기 비트라인들 상부에 배치되며, 상기 비트라인들에 연결되는 복수의 상부 메모리 셀들을 포함하며, 상기 제1 방향에서 교대로 배치되는 복수의 셀 어레이 영역들 및 복수의 비트라인 컨택 영역들을 포함하며, 상기 셀 어레이 영역들에는 상기 상부 메모리 셀들 및 상기 하부 메모리 셀들이 배치되고, 상기 비트라인 컨택 영역들 중 적어도 하나에는 상기 상부 메모리 셀들만 배치된다.