SEMICONDUCTOR DEVICE MODULE AND ELECTRONIC DEVICE
본 발명은 안정된 전기 특성을 갖는 소자 또는 안정된 전기 특성을 갖는 복수 종류의 소자를 포함하는 장치를 제공한다. 반도체 장치는 제 1 절연체, 제 1 절연체 위의 트랜지스터, 트랜지스터 위의 제 2 절연체, 및 제 2 절연체 위의 제 3 절연체를 포함한다. 제 2 절연체는 제 1 절연체에 도달하는 개구를 포함한다. 개구는 제 4 절연체로 채워진다. 제 1 절연체, 제 3 절연체, 및 제 4 절연체 각각은 제 2 절연체보다 수소 투과성이 낮다. Provided is an element with stable electrical c...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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09.04.2021
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Summary: | 본 발명은 안정된 전기 특성을 갖는 소자 또는 안정된 전기 특성을 갖는 복수 종류의 소자를 포함하는 장치를 제공한다. 반도체 장치는 제 1 절연체, 제 1 절연체 위의 트랜지스터, 트랜지스터 위의 제 2 절연체, 및 제 2 절연체 위의 제 3 절연체를 포함한다. 제 2 절연체는 제 1 절연체에 도달하는 개구를 포함한다. 개구는 제 4 절연체로 채워진다. 제 1 절연체, 제 3 절연체, 및 제 4 절연체 각각은 제 2 절연체보다 수소 투과성이 낮다.
Provided is an element with stable electrical characteristics or a device including plural kinds of elements with stable electrical characteristics. The semiconductor device includes a first insulator, a transistor over the first insulator, a second insulator over the transistor, and a third insulator over the second insulator. The second insulator includes an opening reaching the first insulator. The opening is filled with a fourth insulator. The first insulator, the third insulator, and the fourth insulator each have a lower hydrogen-transmitting property than the second insulator. |
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Bibliography: | Application Number: KR20217009919 |