전압 조정기에 결합된 용량성 전압 분배기

• Main Author: ROWLEY MATTHEW D
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 08.04.2021
• Subjects: CONTROLLING; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; REGULATING; STATIC STORES; SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES

메모리 서브시스템을 동작시키는 방법은 메모리 서브시스템의 전력 관리(PM) 컴포넌트에서 입력 전압을 수신하는 단계를 포함하며, PM 컴포넌트는 용량성 전압 분배기(CVD), 선형 전압 조정기(LVR), 및 스위칭 전압 조정기(SVR)를 포함한다. 방법은 입력 전압이 메모리 서브시스템의 저전력 모드에 대응하는지의 여부 및 입력 전압이 메모리 서브시스템의 메모리 컴포넌트가 동작하도록 구성되는 최고 공급 전압보다 높다고 결정하는 단계를 포함한다. 방법은 저전력 모드의 결정에 응답하여, CVD 및 LVR를 선택적으로 결합하고, CVD 및 LVR에 의해 메모리 컴포넌트를 위한 공급 전압으로 입력 전압을 순차적으로 감소시키는 단계를 더 포함하며, 공급 전압은 메모리 컴포넌트가 동작하도록 구성된 최고 공급 전압보다 높지 않다. A method of operating a memory sub-system includes receiving an input voltage at a power management (PM) component of a memory sub-system, where the PM component includes a capacitive voltage divider (CVD), a linear voltage regulator (LVR), and a switching voltage regulator (SVR). The method includes determining whether the input voltage corresponds to a low power mode of the memory sub-system and that the input voltage is higher than an uppermost supply voltage at which a memory component of the memory sub-system is configured to operate. The method further includes selectably coupling, responsive to a determination of the low power mode, the CVD and the LVR and sequentially reducing the input voltage by the CVD and the LVR to a supply voltage for the memory component, where the supply voltage is not higher than the uppermost supply voltage at which the memory component is configured to operate.