광 반도체 장치, 광 모듈 및 광 반도체 장치의 제조 방법

• Main Author: OGAWA NOBUYUKI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 06.04.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

광 반도체 장치(90)는 반도체 기판(30)에 적어도 1개의 광 소자(6)가 형성된 광 반도체 칩(1)과, 광 소자(6)의 제 1 전극(38) 및 제 2 전극(39b)에 접속되는 동시에, 광 반도체 칩(1)의 외측으로 연신된 연신 배선 패턴(3)을 구비하고 있다. 광 반도체 장치(90)의 제 1 전극(38) 및 제 2 전극(39b)은 광 반도체 칩(1)의 표면측에 형성되어 있고, 연신 배선 패턴(3)은 광 반도체 칩(1)의 표면에 또는 표면으로부터 떨어진 위치에 배치되어 있다. An optical semiconductor device includes an optical semiconductor chip in which at least one optical element is formed in a semiconductor substrate, and an extended wire pattern that is connected to a first electrode and a second electrode of the optical element and that extends outside the optical semiconductor chip. The first electrode and the second electrode of the optical semiconductor device are formed on the front surface side of the optical semiconductor chip, and the extended wire pattern is disposed on the front surface of the optical semiconductor chip or disposed at a position apart from the front surface.