SEMICONDUCTOR DEVICES

• Main Authors: HAN JEE HOON, SIM JAE RYONG, KANG SEO GOO, JANG DAE HYUN, AHN JONG SEON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 06.04.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to an embodiment of the present invention, provided is a semiconductor device with improved reliability. The semiconductor device comprises: a peripheral circuit region including a first substrate and a circuit element provided on the first substrate; and a memory cell region including a second substrate disposed on an upper portion of the first substrate, gate electrodes vertically stacked on the second substrate to be spaced apart from each other, channel structures passing through the gate electrodes and extending perpendicular to an upper surface of the second substrate, first separation regions passing through the gate electrodes between the channel structures and extending in one direction, and a second separation region extending perpendicular to the upper surface of the second substrate to pass through the second substrate from an upper portion and having a bent unit of width is changed. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는, 제1 기판 및 상기 제1 기판 상에 제공되는 회로 소자들을 포함하는 주변 회로 영역, 및 상기 제1 기판의 상부에 배치되는 제2 기판, 상기 제2 기판 상에 서로 이격되어 수직하게 적층되는 게이트 전극들, 상기 게이트 전극들을 관통하여 상기 제2 기판의 상면에 수직하게 연장되는 채널 구조물들, 상기 채널 구조물들의 사이에서 상기 게이트 전극들을 관통하며 일 방향으로 연장되는 제1 분리 영역들, 및 상부로부터 상기 제2 기판을 관통하도록 상기 제2 기판의 상면에 수직하게 연장되며 폭이 변경되는 절곡부를 갖는 제2 분리 영역을 포함하는 메모리 셀 영역을 포함한다.