기판을 처리하는 방법, 처리 장치, 및 처리 시스템

하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판을 처리하는 방법이 제공된다. 기판은, 에칭층과 마스크를 구비한다. 마스크는, 에칭층의 제1 표면 상에 마련된다. 이 방법은, 제1 공정, 제2 공정 및 제3 공정을 구비한다. 제1 공정은, 마스크의 제2 표면에 제1 막을 형성한다. 제2 공정은, 에칭층의 제1 표면을 에칭함으로써, 에칭층의 재료를 갖는 제2 막을 제1 막 상에 형성한다. 제3 공정은, 제2 공정 후의 기판을 처리 가스의 플라스마에 노출시킴으로써, 제1 막 및 제2 막을 제거한다. 제1 막은, 전극 재료를 갖는다. 처리 가스는...

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Main Authors KANG SONG YUN, KUBO TAKUYA
Format Patent
LanguageKorean
Published 31.03.2021
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