기판을 처리하는 방법, 처리 장치, 및 처리 시스템

• Main Authors: KANG SONG YUN, KUBO TAKUYA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 31.03.2021
• Subjects: ELECTRICITY

하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판을 처리하는 방법이 제공된다. 기판은, 에칭층과 마스크를 구비한다. 마스크는, 에칭층의 제1 표면 상에 마련된다. 이 방법은, 제1 공정, 제2 공정 및 제3 공정을 구비한다. 제1 공정은, 마스크의 제2 표면에 제1 막을 형성한다. 제2 공정은, 에칭층의 제1 표면을 에칭함으로써, 에칭층의 재료를 갖는 제2 막을 제1 막 상에 형성한다. 제3 공정은, 제2 공정 후의 기판을 처리 가스의 플라스마에 노출시킴으로써, 제1 막 및 제2 막을 제거한다. 제1 막은, 전극 재료를 갖는다. 처리 가스는, 산소를 갖는다. A method of processing a substrate includes a first step, a second step and a third step. The substrate includes an etching layer and a mask. The mask is formed on a first surface of the etching layer. The first step forms a first film on a second surface of the mask. The second step forms a second film having a material of the etching layer on the first film by etching the first surface of the etching layer. The third step removes the first film and the second film by exposing the substrate after the second step to plasma of a processing gas. The first film has an electrode material. The processing gas includes oxygen.