탄소 나노 튜브의 제조 방법

고순도의 단층 탄소 나노 튜브를 고효율로 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 기상 유동 CVD법에 따른 탄소 나노 튜브의 제조 방법으로서, Al2O3과 SiO2의 합계 질량이 전체 질량의 90% 이상을 차지하고 있으며, 또한, Al2O3/SiO2의 질량비가 1.0 ~ 2.3의 범위에 있는 물질 (A)를 1200℃ 이상으로 가열하는 공정과, 상기 물질 (A)를 1200℃ 이상으로 가열하고 있는 환경에 존재하는 가스를 탄소 나노 튜브의 원료 가스와 접촉시켜 탄소 나노 튜브를 생성시키는 공정;을 구비하는, 탄소 나노 튜브의 제조 방법. P...

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Main Authors IWASA NARUHITO, HASHIMOTO TAKESHI, TAKANO KEI, ODA JITSUO, KAGAWA HISATO, HIRAYAMA DAIGO, MIKI YASUSHI
Format Patent
LanguageKorean
Published 31.03.2021
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Summary:고순도의 단층 탄소 나노 튜브를 고효율로 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 기상 유동 CVD법에 따른 탄소 나노 튜브의 제조 방법으로서, Al2O3과 SiO2의 합계 질량이 전체 질량의 90% 이상을 차지하고 있으며, 또한, Al2O3/SiO2의 질량비가 1.0 ~ 2.3의 범위에 있는 물질 (A)를 1200℃ 이상으로 가열하는 공정과, 상기 물질 (A)를 1200℃ 이상으로 가열하고 있는 환경에 존재하는 가스를 탄소 나노 튜브의 원료 가스와 접촉시켜 탄소 나노 튜브를 생성시키는 공정;을 구비하는, 탄소 나노 튜브의 제조 방법. Provided is a method for highly efficiently producing highly pure single-walled carbon nanotubes. This method for producing carbon nanotubes by fluidized CVD includes: a step for heating a material (A) to 1200° C. or higher, in which the total mass of Al2O3 and SiO2 constitutes at least 90% of the total mass of the material (A) and the mass ratio of Al2O3/SiO2 is in the range of 1.0-2.3; and a step for bringing a gas, which is present in the environment in which the material (A) is being heated to 1200° C. or higher, into contact with a feed gas to generate carbon nanotubes.
Bibliography:Application Number: KR20217003157