CHALCOGENIDE MATERIAL VARIABLE RESISTIVE MEMORY AND ELECTRONIC DEVICE

• Main Authors: HWANG UK, AHN JUN KU, LEE YOUNG HO, LEE JONG HO, CHO YE CHEON, ZANG HWAN JUN, JUNG GWANG SUN, BAN SANG HYUN, LEE WOO TAE, LEE BEOM SEOK, CHO SUNG LAE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.03.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a chalcogenide material, which includes germanium (Ge), arsenic (As), selenium (Se), and a group 3 element, and the group 3 element may include 0.5 to 10 at%. A variable resistance memory device includes a first electrode; a second electrode; and a chalcogenide layer interposed between the first electrode and the second electrode, and containing 0.5 to 10 at% of a group 3 element. In addition, as an electronic device including a semiconductor memory, the semiconductor memory includes: a column line; a row line crossing the column line; and a memory cell positioned between the column line and the row line. The memory cell may include germanium (Ge), arsenic (As), selenium (Se), and a chalcogenide layer including 0.5 to 10 at% of the group 3 element. 칼코게나이드 물질은 저마늄(Ge), 아세닉(As), 셀레늄(Se) 및 3족 원소를 포함하고, 상기 3족 원소가 0.5 내지 10at% 포함할 수 있다. 가변 저항 메모리 장치는 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 개재되고, 3족 원소를 0.5 내지 10at% 포함하는 칼코게나이드막을 포함할 수 있다. 또한, 반도체 메모리를 포함하는 전자 장치로서, 상기 반도체 메모리는, 컬럼 라인; 상기 컬럼 라인과 교차된 로우 라인; 및 상기 컬럼 라인과 상기 로우 라인의 사이에 위치된 메모리 셀을 포함하고, 상기 메모리 셀은 저마늄(Ge), 아세닉(As), 셀레늄(Se) 및 0.5 내지 10at%의 3족 원소를 포함한 칼코게나이드막을 포함할 수 있다.