WAVELENGTH CONVERSION MEMBER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

종래에 비해, 발광 강도의 경시 변화를 억제할 수 있는 파장 변환 부재 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 파장 변환 부재(1)는, 양자점을 갖는 양자점층(2)과, 적어도 양자점층(2)의 양측에 형성된 배리어층(3, 4)을 갖고, 배리어층의 수증기 투과도는, 9(g／㎡·day)보다도 낮다. 이로 인해, 발광 강도의 경시 변화를 효과적으로 억제할 수 있다. Provided is a wavelength converting member which can reduce change in the light emission int...

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Main Authors MIYANAGA AKIHARU, KANAUMI EIICHI
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 24.03.2021
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:종래에 비해, 발광 강도의 경시 변화를 억제할 수 있는 파장 변환 부재 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 파장 변환 부재(1)는, 양자점을 갖는 양자점층(2)과, 적어도 양자점층(2)의 양측에 형성된 배리어층(3, 4)을 갖고, 배리어층의 수증기 투과도는, 9(g／㎡·day)보다도 낮다. 이로 인해, 발광 강도의 경시 변화를 효과적으로 억제할 수 있다. Provided is a wavelength converting member which can reduce change in the light emission intensity over time as compared with conventional members and a method of producing the wavelength converting member. A wavelength converting member (1) includes a quantum dot layer (2) having quantum dots, barrier layers (3, 4) formed on at least both sides of the quantum dot layer (2). The moisture vapor transmission rate of the barrier layer is lower than 9 g/(m2·d). Thus, change in the light emission intensity over time can be effectively inhibited.
Bibliography:Application Number: KR20217007841