DEVELOPING METHOD AND DEVELOPING APPARATUS

• Main Authors: ICHINOMIYA HIROSHI, KAI AKIKO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.03.2021
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

The number of defects in the case of forming a resist film having a large contact angle with respect to water is reduced. The present invention relates to a developing method for developing a resist film on a substrate, including: (A) a process of supplying a developer to the substrate and developing the resist film to form a resist pattern; (B) a process of supplying an aqueous cleaning solution to the developed substrate and cleaning the substrate with the aqueous cleaning solution; (C) a process of forming a hydrophilic layer having hydrophilicity on the surface of the substrate by applying an aqueous solution of a water-soluble polymer to the substrate cleaned with the aqueous cleaning solution; and (D) a process of cleaning the substrate on which the hydrophilic layer is formed with a rinse solution, wherein the process (B) includes step (a) accelerating the rotation speed of the substrate, and step (b) decelerating the rotation speed of the substrate after the step (a) until the step (C) is started, in which the deceleration in the step (b) is smaller than the acceleration in the step (a). 물에 대한 접촉각이 큰 레지스트막을 형성한 경우의 결함수를 저감시킨다. 기판 상의 레지스트막을 현상 처리하는 현상 처리 방법으로서, (A) 상기 기판에 현상액을 공급하고 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, (B) 현상된 상기 기판에 수계 세정액을 공급하여, 당해 수계 세정액으로 당해 기판을 세정하는 공정과, (C) 상기 수계 세정액으로 세정된 상기 기판에, 수용성 폴리머의 수용액을 도포하여, 상기 기판의 표면에 친수성을 가지는 친수성층을 형성하는 공정과, (D) 상기 친수성층이 형성된 기판을, 린스액으로 세정하는 공정을 포함하고, 상기 (B) 공정은, (a) 상기 기판의 회전수를 가속시켜 가는 공정과, (b) 상기 (a) 공정 후, 상기 (C) 공정이 개시될 때까지의 사이, 상기 기판의 회전수를 감속시켜 가는 공정을 포함하고, 상기 (b) 공정에 있어서의 감속도가, 상기 (a) 공정에 있어서의 가속도보다 작다.