AMORPHOUS LAYERS FOR REDUCING COPPER DIFFUSION AND METHOD FORMING SAME

• Main Authors: LIN JYH NAN, LIU DING I, HSU KAI SHIUNG, WU CHIA YU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.03.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a method for forming an amorphous layer for reducing copper diffusion. The method comprises the steps of: depositing an etch stop layer over a first conductive feature; performing a first treatment for amorphizing the etch stop layer; depositing a dielectric layer over the etch stop layer; etching the dielectric layer to form an opening; performing etching-through to the etch stop layer to extend the opening into the etch stop layer; and filling the opening with a conductive material to form a second conductive feature. 방법은, 제1 전도성 피처 위에 에칭 정지층을 퇴적하는 단계와, 상기 에칭 정지층을 비정질화하기 위한 제1 처리를 수행하는 단계와, 상기 에칭 정지층 위에 유전체층을 퇴적하는 단계와, 개구부를 형성하기 위해 상기 유전체층을 에칭하는 단계와, 상기 에칭 정지층을 관통 에칭하여 상기 개구부를 상기 에칭 정지층 내로 연장시키는 단계와, 상기 개구부를 전도성 재료로 충전하여 제2 전도성 피처를 형성하는 단계를 포함한다.