Semiconductor device

• Main Authors: KIM GEUNWOO, KIM WANDON, HWANG YOON TAE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.03.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor element including a contact structure. The semiconductor element comprises: a lower contact pattern including a first metal; an upper contact pattern including a second metal having a smaller resistivity than the first metal, wherein an upper metal pattern includes a lower portion disposed in the lower contact pattern; and a metal barrier film interposed between lower portions of the lower contact pattern and the upper contact pattern, and including a third metal different from the first metal and the second metal. A lower width of the upper contact pattern can be thinner than an upper width of the lower contact pattern. 콘택 구조체를 포함하는 반도체 소자가 제공된다. 반도체 소자는 제 1 금속을 포함하는 하부 콘택 패턴; 상기 제 1 금속보다 작은 비저항을 갖는 제 2 금속을 포함하는 상부 콘택 패턴으로서, 상기 상부 금속 패턴은 상기 하부 콘택 패턴 내에 배치되는 하부 부분을 포함하는 것; 및 상기 하부 콘택 패턴과 상기 상부 콘택 패턴의 상기 하부 부분 사이에 개재되며, 상기 제 1 및 제 2 금속들과 다른 제 3 금속을 포함하는 금속 배리어막을 포함하되, 상기 상부 콘택 패턴의 하부 폭은 상기 하부 콘택 패턴의 상부 폭보다 작을 수 있다.