SEMICONDUCTOR DEVICE

산화물 반도체층을 포함한 트랜지스터에서, 산화물 절연층이 상기 산화물 반도체층과 접하도록 형성된다. 그 후, 산소가 상기 산화물 절연층을 통해 상기 산화물 반도체층에 도입(첨가)되며, 열 처리가 수행된다. 산소 도입 및 열 처리의 이들 단계들을 통해, 수소, 수분, 수산기, 또는 수소화물과 같은 불순물들이 상기 산화물 반도체층으로부터 의도적으로 제거되며, 따라서 상기 산화물 반도체층이 고정제된다. In a transistor including an oxide semiconductor layer, an oxide insulating...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors YAMAZAKI SHUPEI, KOEZUKA JUNICHI
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 24.02.2021
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:산화물 반도체층을 포함한 트랜지스터에서, 산화물 절연층이 상기 산화물 반도체층과 접하도록 형성된다. 그 후, 산소가 상기 산화물 절연층을 통해 상기 산화물 반도체층에 도입(첨가)되며, 열 처리가 수행된다. 산소 도입 및 열 처리의 이들 단계들을 통해, 수소, 수분, 수산기, 또는 수소화물과 같은 불순물들이 상기 산화물 반도체층으로부터 의도적으로 제거되며, 따라서 상기 산화물 반도체층이 고정제된다. In a transistor including an oxide semiconductor layer, an oxide insulating layer is formed so as to be in contact with the oxide semiconductor layer. Then, oxygen is introduced (added) to the oxide semiconductor layer through the oxide insulating layer, and heat treatment is performed. Through these steps of oxygen introduction and heat treatment, impurities such as hydrogen, moisture, a hydroxyl group, or hydride are intentionally removed from the oxide semiconductor layer, so that the oxide semiconductor layer is highly purified.
Bibliography:Application Number: KR20217004635