SUBSTRATE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

• Main Authors: TADOKORO MASAHIRO, TABATA MASAHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 23.02.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A difference in a shape of each opening formed in a target etching film is suppressed. A substrate has a target etching film to be etched and a first film. The first film is formed on the target etching film and made of a material having an etching rate lower than that of the target etching film. In the first film, a plurality of first openings are formed at first intervals in one direction of the surface. In the first film, a second opening having a wider width than the first opening and a shallower depth than the first opening is formed in an outer side of the first openings in one direction, from the outermost first opening at a second interval about the same as the first interval. 피에칭막에 형성되는 각 개구의 형상에 차이가 발생하는 것을 억제하는 것이다. 기판은 에칭의 대상이 된 피에칭막과, 제 1 막을 가진다. 제 1 막은 피에칭막 상에 형성되고, 피에칭막보다 에칭에 대한 에칭 레이트가 낮은 재료로 형성되어 있다. 제 1 막은, 표면의 일방향에 대하여 복수의 제 1 개구가 제 1 간격으로 형성되어 있다. 제 1 막은, 일방향에 대한 복수의 제 1 개구의 외측에, 가장 외측의 제 1 개구로부터 제 1 간격과 동일한 정도의 제 2 간격으로 제 1 개구보다 넓은 폭으로, 제 1 개구보다 깊이가 얕은 제 2 개구가 형성되어 있다.