금속 또는 반금속-함유 필름의 제조 방법

• Main Authors: MAYR LUKAS, KLENK SINJA VERENA, WEIGUNY SABINE, SCHWEINFURTH DAVID DOMINIQUE
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 22.02.2021
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

본 발명은 기재 상에 무기 필름을 생성하는 공정의 기술분야에 속한다. 본 발명은 (a) 금속 또는 반금속-함유 화합물을 기체 상태로부터 고체 기재 위에 침착시키는 단계; 및 (b) 상기 금속 또는 반금속-함유 화합물이 침착된 고체 기재를 하기 화학식 Ia, Ib, Ic, Id 또는 Ie의 화합물과 접촉시키는 단계 를 포함하는 금속 또는 반금속-함유 필름의 제조 방법에 관한 것이다: [화학식 Ia] JPEGpct00032.jpg5235 [화학식 Ib] JPEGpct00033.jpg5534 [화학식 Ic] JPEGpct00034.jpg4025 [화학식 Id] JPEGpct00035.jpg5739 [화학식 Ie] JPEGpct00036.jpg6239 상기 식에서, E는 Ti, Zr, Hf, V, Nb 또는 Ta이고; L1 및 L2는 펜타다이엔일 또는 사이클로펜타다이엔일 리간드이고; X1 및 X2는 부재하거나 중성 리간드이고; R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R20, R21, R22, R23, R24, R25 및 R26은 수소, 알킬 기, 알켄일 기, 아릴 기 또는 실릴 기이되, 화학식 Ia의 경우, R1 내지 R10 중 하나 이상은 하나 이상의 탄소 및/또는 규소 원자를 함유하고; A는 알킬 기, 알켄일 기, 아릴 기 또는 실릴 기이다. The present invention is in the field of processes for the generation of thin inorganic films on substrates. The present invention relates to a process for preparing metal- or semimetal-containing films comprising (a) depositing a metal- or semimetal-containing compound from the gaseous state onto a solid substrate and (b) bringing the solid substrate with the deposited metal- or semi-metal-containing compound in contact with a compound of general formula (Ia), (Ib), (Ic), (Id) or (Ie), wherein E is Ti, Zr, Hf, V, Nb, or Ta, L1 and L2 is a pentadienyl or a cyclopentadienyl ligand, and X1 and X2 is nothing or a neutral ligand, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23, R24, R25, and R26 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group or a silyl group, wherein for compound (Ia), at least one of R1 to R10 contains at least one carbon and/or silicon atom and A is an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group or a silyl group.