라인 배가를 위한 포토레지스트 조성물

포토레지스트 조성물들, 그 포토레지스트 조성물들을 제조하는 방법들, 및 그 포토레지스트 조성물들을 사용하는 방법들이 제공된다. 일 구현에서, 포토레지스트 조성물은, 노볼락(novolac) 수지, 디아조나프토퀴논(DNQ) 용해 억제제, 비스(아지드) 가교제, 및 캐스팅 용매를 포함한다. 일 구현에서, 비스(아지드) 가교제는 325 나노미터 내지 400 나노미터의 범위 내의 파장들에서 흡수된다. 일 구현에서, 비스(아지드) 가교제는 방향족 비스(아지드) 가교제이다. Photoresist compositions, methods of ma...

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Main Authors VORA ANKIT, BENCHER CHRISTOPHER DENNIS
Format Patent
LanguageKorean
Published 18.02.2021
Subjects
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
CINEMATOGRAPHY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
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Summary:포토레지스트 조성물들, 그 포토레지스트 조성물들을 제조하는 방법들, 및 그 포토레지스트 조성물들을 사용하는 방법들이 제공된다. 일 구현에서, 포토레지스트 조성물은, 노볼락(novolac) 수지, 디아조나프토퀴논(DNQ) 용해 억제제, 비스(아지드) 가교제, 및 캐스팅 용매를 포함한다. 일 구현에서, 비스(아지드) 가교제는 325 나노미터 내지 400 나노미터의 범위 내의 파장들에서 흡수된다. 일 구현에서, 비스(아지드) 가교제는 방향족 비스(아지드) 가교제이다. Photoresist compositions, methods of manufacturing the photoresist compositions, and methods of using the photoresist compositions are provided. In one implementation, the photoresist composition comprises a novolac (novolac) resin, a diazonaphthoquinone (DNQ) dissolution inhibitor, a bis(azide) crosslinker, and a casting solvent. In one implementation, the bis(azide) crosslinker absorbs at wavelengths in a range between 325 nanometers and 400 nanometers. In one implementation, the bis(azide) crosslinker is an aromatic bi(azide) crosslinker.
Bibliography:Application Number: KR20217003816