극자외선 마스크 블랭크 결함 감소

EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크들, 이들의 제조를 위한 방법들, 및 이들을 위한 생산 시스템들이 개시된다. EUV 마스크 블랭크를 형성하기 위한 방법은 기판을 멀티-캐소드 물리 기상 증착 챔버에 배치하는 단계를 포함하며, 챔버는 적어도 3개의 타겟들을 포함하며, 제1 몰리브덴 타겟이 실리콘 타겟의 제1 측에 인접하고, 그리고 제2 몰리브덴 타겟이 실리콘 타겟의 제2 측에 인접한다. Extreme ultraviolet (EUV) mask blanks, methods for their manufacture,...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors LIU SHUWEI, ABHINAND SAI, JINDAL VIBHU, FONG HUI NI GRACE, CHANG KE
Format Patent
LanguageKorean
Published 17.02.2021
Subjects
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CINEMATOGRAPHY
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크들, 이들의 제조를 위한 방법들, 및 이들을 위한 생산 시스템들이 개시된다. EUV 마스크 블랭크를 형성하기 위한 방법은 기판을 멀티-캐소드 물리 기상 증착 챔버에 배치하는 단계를 포함하며, 챔버는 적어도 3개의 타겟들을 포함하며, 제1 몰리브덴 타겟이 실리콘 타겟의 제1 측에 인접하고, 그리고 제2 몰리브덴 타겟이 실리콘 타겟의 제2 측에 인접한다. Extreme ultraviolet (EUV) mask blanks, methods for their manufacture, and production systems therefor are disclosed. The method for forming an EUV mask blank comprises placing a substrate in a multi-cathode physical vapor deposition chamber, the chamber comprising at least three targets, a first molybdenum target adjacent a first side of a silicon target and a second molybdenum target adjacent a second side of the silicon target.
Bibliography:Application Number: KR20217003494