ION IMPLANTER AND ION IMPLANTATION METHOD

• Main Author: ISHIBASHI KAZUHISA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.02.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An objective of the present invention is to reduce the burden of a user for realizing desired nonuniform injection. The control apparatus, if a target value of a two-dimensional nonuniform dose amount distribution in a wafer processing surface is acquired, generates a plurality of aggregate functions determined based on a one-dimensional dose amount distribution in a first direction at a plurality of positions different in a second direction in the wafer processing surface, and correlation information allowing the target value of the two-dimensional nonuniform dose amount distribution and the plurality of aggregate functions to correspond to each other. The control apparatus calculates an estimation value of the two-dimensional nonuniform dose amount distribution in the wafer processing surface when simulating ion injection based on the plurality of aggregate functions and the correlation information, and corrects the plurality of aggregate functions to make the estimation value similar to the target value to generate a plurality of correction functions. The control apparatus changes a beam scan speed in the first direction and a wafer scan speed in the second direction based on the correlation information and the plurality of correction functions to inject ions of the two-dimensional nonuniform dose amount distribution similar to the target value into the wafer processing surface. 원하는 불균일주입을 실현하기 위한 유저의 부담을 경감한다. 제어장치는, 웨이퍼처리면 내에 있어서의 이차원 불균일 도스양분포의 목푯값을 취득한 경우, 웨이퍼처리면 내에 있어서 제2 방향으로 다른 복수의 위치에 있어서의 제1 방향의 일차원 도스양분포에 근거하여 정해지는 복수의 집약함수와, 이차원 불균일 도스양분포의 목푯값과 복수의 집약함수를 대응시키는 상관정보를 생성한다. 제어장치는, 복수의 집약함수 및 상관정보에 근거하는 이온주입을 시뮬레이션했을 때의 웨이퍼처리면 내에 있어서의 이차원 불균일 도스양분포의 추정값을 산출하고, 추정값이 목푯값과 유사하도록 복수의 집약함수를 수정하여 복수의 보정함수를 생성한다. 제어장치는, 복수의 보정함수 및 상관정보에 근거하여 제1 방향의 빔스캔속도 및 제2 방향의 웨이퍼스캔속도를 변화시켜, 웨이퍼처리면에 목푯값과 유사한 이차원 불균일 도스양분포의 이온을 주입한다.