리소그래피 장치

산소(O2)를 EUV 리소그래피 장치에 제공하기 위한 가스 유동 제어 시스템이 개시되며, 이 가스 유동 제어 시스템은, 제 1 가스 소스에 연결되도록 구성된 제 1 입구(제 1 가스는 산소(O2) 가스를 포함함); 및 제 2 가스 소스에 연결되도록 구성된 제 2 입구를 포함하고, 제 2 가스는 산소(O2) 가스를 포함하지 않으며, 가스 유동 제어 시스템은 제 1 가스와 제 2 가스를 혼합하여, 희석된 산소(O2) 가스를 포함하는 혼합 가스를 얻고, 가스 유동 제어 시스템은, 제 1 양의 혼합 가스를 EUV 리소그래피 장치의 내부에...

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Main Authors VAN DER WIEL DAAN WILLEM JAN, VAN DER GRAAF SANDRA, MERKX MAARTEN ANTON GERTRUDA, GOOSSENS ANDREW PETRUS FRANSISCUS ARNOLDUS MARIA
Format Patent
LanguageKorean
Published 15.02.2021
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Summary:산소(O2)를 EUV 리소그래피 장치에 제공하기 위한 가스 유동 제어 시스템이 개시되며, 이 가스 유동 제어 시스템은, 제 1 가스 소스에 연결되도록 구성된 제 1 입구(제 1 가스는 산소(O2) 가스를 포함함); 및 제 2 가스 소스에 연결되도록 구성된 제 2 입구를 포함하고, 제 2 가스는 산소(O2) 가스를 포함하지 않으며, 가스 유동 제어 시스템은 제 1 가스와 제 2 가스를 혼합하여, 희석된 산소(O2) 가스를 포함하는 혼합 가스를 얻고, 가스 유동 제어 시스템은, 제 1 양의 혼합 가스를 EUV 리소그래피 장치의 내부에 출력하도록 구성된 제 1 출구; 및 제 2 양의 혼합 가스를 EUV 리소그래피 장치의 외부에 있는 덤프(dump)에 출력하도록 구성된 제 2 출구를 더 포함한다. A gas flow control system for providing oxygen (O2) to an EUV lithographic apparatus, the gas flow control system comprising: a first inlet configured to be connected to a first gas source, the first gas comprising oxygen (O2) gas; a second inlet configured to be connected to a second gas source, the second gas not containing any (O2) gas; the gas flow control system being configured to mix the first and second gas to obtain a mixed gas comprising diluted oxygen (O2) gas; the gas flow control system further comprising: a first outlet configured to output a first amount of the mixed gas to an interior of the EUV lithographic apparatus and a second outlet configured to output a second amount of the mixed gas to a dump, exterior to the EUV lithographic apparatus.
Bibliography:Application Number: KR20207033799