플라스마 처리 장치

기판에 형성되는 막의 성막 레이트 및 막두께를 균일하게 할 수 있는 플라스마 처리 장치를 실현한다. 플라스마 처리 장치(1)는 진공 용기(10) 내에 설치된 플라스마 생성용의 안테나(20)를 복수 구비하고, 복수의 안테나(20) 각각의 길이 방향(D1)에 대해서 대략 수직이며, 또한 복수의 안테나(20)가 서로 배열되는 방향으로 연신하는 선(L1)의 근방에 형성된 복수의 가스 분출구(30)의 군이 복수 형성되고, 복수의 가스 분출구(30)의 군 각각으로부터 분출되는 가스의 유량을 제어하는 가스 유량 제어부를 더 구비한다. The p...

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Main Authors SAKAI TOSHIHIKO, AZUMA DAISUKE, ANDO YASUNORI, NAKATA SEIJI
Format Patent
LanguageKorean
Published 09.02.2021
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
ELECTRICITY
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Summary:기판에 형성되는 막의 성막 레이트 및 막두께를 균일하게 할 수 있는 플라스마 처리 장치를 실현한다. 플라스마 처리 장치(1)는 진공 용기(10) 내에 설치된 플라스마 생성용의 안테나(20)를 복수 구비하고, 복수의 안테나(20) 각각의 길이 방향(D1)에 대해서 대략 수직이며, 또한 복수의 안테나(20)가 서로 배열되는 방향으로 연신하는 선(L1)의 근방에 형성된 복수의 가스 분출구(30)의 군이 복수 형성되고, 복수의 가스 분출구(30)의 군 각각으로부터 분출되는 가스의 유량을 제어하는 가스 유량 제어부를 더 구비한다. The present invention realizes a plasma treatment device with which a film deposition rate and film thickness of a film formed on a substrate can be made uniform. A plasma treatment device (1) includes: a plurality of antennas (20) for plasma generation arranged in a vacuum chamber (10); and a plurality of groups of multiple gas injection ports (30) arranged in the vicinity of lines (L1) that are substantially perpendicular to longitudinal directions (D1) of the plurality of antennas (20) and extend in a direction in which the plurality of antennas (20) are arranged with respect to each other. The plasma treatment device further includes a gas flow-rate control unit for controlling flow rates of gas injected from each of groups of the multiple gas injection ports (30).
Bibliography:Application Number: KR20217000015