Semiconductor device

Provided is a semiconductor element with improved performance. The semiconductor element comprises: a substrate; a fin structure on the substrate; a gate structure on the fin structure; a gate spacer on a side surface of the gate structure; and a source/drain structure on the fin structure, wherein...

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Main Authors LEE SANG GIL, XU YANG, YU HYUN KWAN, LEE SI HYUNG, KIM DONG MYOUNG, KIM SEOK HOON, MOON KANG HUN, LEE SEUNG HUN, LEE CHO EUN, CHO EDWARD NAM KYU
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 02.02.2021
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:Provided is a semiconductor element with improved performance. The semiconductor element comprises: a substrate; a fin structure on the substrate; a gate structure on the fin structure; a gate spacer on a side surface of the gate structure; and a source/drain structure on the fin structure, wherein the uppermost portion of a lower surface of the gate spacer can be lower than the uppermost portion of an upper surface of the fin structure, and the uppermost portion of an upper surface of the source/drain structure can be lower than the uppermost portion of the upper surface of the fin structure. 반도체 소자가 제공된다. 이 반도체 소자는 기판, 상기 기판 상의 핀 구조체, 상기 핀 구조체 상의 게이트 구조체, 상기 게이트 구조체의 측면 상의 게이트 스페이서, 및 상기 핀 구조체 상의 소스/드레인 구조체를 포함하고, 상기 게이트 스페이서의 하면의 최상부는 상기 핀 구조체의 상면의 최상부보다 아래이고, 상기 소스/드레인 구조체의 상면의 최상부는 상기 핀 구조체의 상면의 최상부보다 아래일 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20190089217