단일 명령에 응답하여 다수의 메모리 동작을 수행하기 위한 방법 및 이를 이용하는 메모리 디바이스 및 시스템

• Main Authors: ROONEY RANDALL J, ROSS FRANK F, PRATHER MATTHEW A
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 18.01.2021
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

메모리 디바이스가 리프레시 명령 및 모드 레지스터 판독 양자를 수행하도록 트리거하는 단일 리프레시 명령과 같은 단일 명령이 메모리 디바이스가 다수의 동작을 수행하도록 트리거할 수 있는 메모리 디바이스들, 메모리 시스템들 및 메모리 디바이스들 및 메모리 시스템들을 작동하는 방법들이 개시된다. 하나의 그러한 메모리 디바이스는 메모리, 모드 레지스터, 및 메모리에 리프레시 동작을 수행하기 위한 명령을 수신하는 것에 응답하여, 메모리에 리프레시 동작을 수행하도록, 그리고 모드 레지스터의 판독을 수행하도록 구성되는 회로를 포함한다. 메모리는 제1 메모리 부분일 수 있고, 메모리 디바이스는 제2 메모리 부분을 포함할 수 있으며, 회로는 명령에 응답하여, 모드 레지스터의 판독의 적어도 일 부분 동안 메모리 시스템의 제2 메모리 부분에 온-다이 터미네이션을 제공하도록 더 구성될 수 있다. Memory devices, memory systems, and methods of operating memory devices and systems are disclosed in which a single command can trigger a memory device to perform multiple operations, such as a single refresh command that triggers the memory device to both perform a refresh command and to perform a mode register read. One such memory device comprises a memory, a mode register, and circuitry configured, in response to receiving a command to perform a refresh operation at the memory, to perform the refresh operation at the memory, and to perform a read of the mode register. The memory can be a first memory portion, the memory device can comprise a second memory portion, and the circuitry can be further configured, in response to the command, to provide on-die termination at the second memory portion of the memory system during at least a portion of the read of the mode register.