호스트 IO 동작에 기초하는 판독 전압 교정

• Main Authors: MUCHHERLA KISHORE KUMAR, TANPAIROJ KULACHET, SINGIDI HARISH REDDY, MALSHE ASHUTOSH, FEELEY PETER SEAN, LUO TING, RATNAM SAMPATH
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 13.01.2021
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

호스트 IO 동작에 기초한 플래시 기반의 스토리지 시스템의 판독 전압 캘리브레이션을 위한 디바이스 및 기술이 개시된다. 일례에서, 메모리 디바이스는 메모리 셀의 다수의 블록의 그룹을 구비하는 NAND 메모리 어레이, 및 메모리 어레이의 판독을 위한 전압 캘리브레이션을 최적화하기 위한 메모리 컨트롤러를 포함한다. 일례에서, 최적화 기술은, 각각의 블록에 대해 발생하는 판독 동작을 모니터링하는 것, 판독 동작에 기초하여 판독 레벨 캘리브레이션을 트리거하기 위한 조건을 식별하는 것, 각각의 블록 또는 각각의 블록을 포함하는 메모리 컴포넌트에 대한 판독 레벨 캘리브레이션을 수행하는 것을 포함한다. 또 다른 예에서, 캘리브레이션은 각각의 블록을 판독하기 위한 임계 전압에 기초하여 수행되는데, 이것은 각각의 블록을 판독하기 위한 임계 전압이 판독 레벨 캘리브레이션에 의해 수행되는 샘플링 동작 내에서 평가될 때 고려될 수도 있다. Devices and techniques for read voltage calibration of a flash-based storage system based on host IO operations are disclosed. In an example, a memory device includes a NAND memory array having groups of multiple blocks of memory cells, and a memory controller to optimize voltage calibration for reads of the memory array. In an example, the optimization technique includes monitoring read operations occurring to a respective block, identifying a condition to trigger a read level calibration based on the read operations, and performing the read level calibration for the respective block or a memory component that includes the respective block. In a further example, the calibration is performed based on a threshold voltage to read the respective block, which may be considered when the threshold voltage to read the respective block is evaluated within a sampling operation performed by the read level calibration.